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清华大学BiluLiu教授和成会明院士为通讯作者在ACSNano上发表文章，推行题为VerticalChemicalVaporDepositionGrowthofHighlyUniform2DTransitionMetalDichalcogenides，推行报告了一种使用气体前驱体的垂直化学气相沉积(VCVD)设计，用于在整个衬底上生长密度均匀、质量高、重现性好的单层TMDCs。进一步的分析表明，高压经过训练的网络可以提取深度图形特征，高压如对比度、颜色、边缘、形状、片状大小及其分布，在此基础上开发了一种集成方法来预测二维材料最相关的物理特性。

Deep-Learning-EnabledFastOpticalIdentification,Adv.Mater.,2020,DOI:10.1002/adma.202000953.https://doi.org/10.1002/adma.2020009535.Adv.Funct.Mater.MXene异质结构具有优异性能的电容器2D/2D异质结构可以结合每个2D材料的共同优势，电缆甚至显示出协同效应的改善性能。这种气体VCVD设计可以很好地控制TMDC生长过程中的三个关键参数，隧道包括前驱体浓度、隧道气体流量和温度，这在目前广泛使用的含固体前驱体的水平CVD系统中是无法做到的。